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Diodos de rectificador de alto voltaje de DO-41-2P 1A 1000V 75nS 30A IFSM

Informacion basica
Lugar de origen: Guangdong, China
Nombre de la marca: PANJIT
Certificación: RoHS
Número de modelo: UF100 CON UF1010
Cantidad de orden mínima: 1000 PC
Precio: usd 0.05/pcs
Detalles de empaquetado: Dimensiones por unidad: centímetro 19*6.3*21 • Peso por unidad: 100g• Unidades por el cartón de la
Tiempo de entrega: Semanas 1
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000PCS por día
Información detallada
Tipo: Rectificador ultrarrápido de la transferencia Tipo del paquete: A través del agujero
Paquete: Plástico moldeado, DO-41 IFSM: 30A
tiempo de recuperación reversa: 50ns; 75ns Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento: ℃ -55 A +150
Alta luz:

75nS High Voltage Rectifier Diodes

,

DO-41-2P High Voltage Rectifier Diodes

,

30A IFSM Through Hole Rectifier Diodes


Descripción de producto

diodos de rectificador ultrarrápidos de alto voltaje de los diodos de rectificador de 1A 1000V 75nS DO-41-2P

 

Características de los diodos de rectificador de silicio:

 

  1. El paquete plástico tiene clasificación 94V-O de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores que utiliza el compuesto que moldea de epoxy ignífugo
  2. plástico Vacío-libre en el paquete DO-41
  3. operación de 1,0 amperios en TA=55℃ sin fugitivo termal
  4. Excede estándares ambientales de MIL-S-19500/228
  5. Transferencia ultrarrápida para la eficacia alta

 

datos mecánicos del diodo superficial del soporte:

  • Caso: Plástico moldeado, DO-41
  • Terminales: Conductores axiales, solderable por MIL-STD-202, método 208
  • Polaridad: La banda denota el cátodo
  • Posición de montaje: Ningunos
  • Peso: 0,013 onzas, 0,3 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Grados en la temperatura ambiente 25℃ salvo especificación de lo contrario. Monofásico, media onda, 60 cargas de los herzios, resistentes o inductivas.

 

  UF100 UF101 UF102 UF104 UF106 UF108 UF1010 Unidad

Voltaje reverso máximo, Pepetitive; VRM

 

50 100 200 400 600 800 1000 V

Voltaje máximo del RMS

 

35 70 140 280 420 560 700 V

Voltaje de bloqueo de DC; VR

 

50 100 200 400 600 800 1000 V

Corriente delantera media, Io @TA=55℃

3,8"

carga de la longitud, de 60Hz, resistente o inductiva de la ventaja

 

1,0

Sobretensión delantera máxima IFM (oleada)

sola media onda sinusoidal 8.3msec

sobrepuesto en la carga clasificada (JEDEC

método)

 

30,0

Voltaje delantero máximo VF @1.0A, 25℃

 

1,00 1,10 1,70 V

La corriente reversa máxima, @ valoró el ℃ TJ=25

℃ del voltaje reverso TJ=100

 

10,0

500

£g A

£g A

 

Capacitancia de empalme típica (nota 1) CJ

 

17,0

PF

 

Resistencia típica del empalme (nota 2) R £KJA

 

60,0 ℃/W

Tiempo de recuperación reversa

IF=.5A, IR=1A, Irr=.25A

 

50 75 ns

Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento

 

-55 a +150

 

NOTAS:
1. Medido en 1 megaciclo y el voltaje reverso aplicado de 4,0 VDC
2. Resistencia termal del empalme a ambiente y del empalme para llevar la longitud 0,375" (9.5m m) PWB montado
 

Diodos de rectificador de alto voltaje de DO-41-2P 1A 1000V 75nS 30A IFSM 0

 

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