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diodo de barrera de 3A Schottky, diodo de Schottky del carburo de silicio 3B para la rectificación de la energía baja

Informacion basica
Lugar de origen: Guangdong, China
Nombre de la marca: CANYI
Certificación: RoHS
Número de modelo: RB461F
Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Caso: Plástico moldeado Aplicación: rectificación de la energía baja
Paquete: SOT-323 Tipo de paquete: Diodo de SMD
Voltaje reverso: 20V Materiales: silicio
Alta luz:

fast schottky diode

,

power schottky diode


Descripción de producto

diodo de barrera del diodo 3A Schottky de Schottky del carburo de silicio 3B para la rectificación de la energía baja

 

la construcción del diodo de Schottky del carburo de silicio es alisadora epitaxial del silicio

Características del diodo de barrera de Schottky:

  1. Marcando 3B, tiene un pequeño tipo del molde
  2. Voltaje delantero bajo, VF=0.94V, IF=700mA
  3. Es de alta calidad con alta confiabilidad
  4. De baja potencia, con los dispositivos de semiconductor de gran intensidad, ultra de alta velocidad
  5. Tiempo de recuperación reversa extremadamente corto

Uso del diodo de barrera de Schottky:

  1. podría ser utilizado en la rectificación de la energía baja
  2. Fuentes de alimentación de alta frecuencia de la transferencia
  3. Cargador de batería del vehículo eléctrico

dimensión del diodo de barrera de Schottky:

diodo de barrera de 3A Schottky, diodo de Schottky del carburo de silicio 3B para la rectificación de la energía baja 0

 

Grados máximos absolutos (TA=25℃)

 

Parámetro símbolo límites unidad
Voltaje reverso (repetidor) VRM 25 V
Voltaje reverso (DC) VR 20 V
La media rectificó adelante IO 0,7 A
Pico delantero de la oleada actual (60Hz·‘1cyc) IFSM 3 A
Temperatura de empalme Tj 125
Temperatura de almacenamiento Stgde T -40~+125

 

Características eléctricas (Ta=25℃)

Parámetro símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. unidad condiciones
Voltaje delantero VF - - 0,49 V IF =700MA
Corriente reversa IR - - 200 μA VR =20V

 

 

Detalles del embalaje.

diodo de barrera de 3A Schottky, diodo de Schottky del carburo de silicio 3B para la rectificación de la energía baja 1

Diodo de barrera de Schottky 1N5817-1N5819, SR120-140-160-180-SR1100, SR220-240-260-SR280, SR3150/SR3200, SR340L, SR5100L ......
Diodo de rectificador de gran intensidad 1N4001, 1N4004, 1N4007, RL201-RL205-RL207, 1N5400-5404-1N5408, 10A05-10A08-10A10 ......
Diodo rápido de la recuperación FR104-FR107, 1N4933-1N4937, FR201-204-207-208, FR301-FR304-FR307 ......
Diodo de la eficacia alta HER104-HER108, HER201-204-205-207-HER208, HER601-606-HER608, HER501-503-505-506-HER508 ......
Diodo de transferencia rápido 1N4148, 1N4148-T4, LL4148 ......
Puente rectificador de Schottky MB6S-10S, MB6F-10F, MB16F-110F, MB6M-10M, ABS6-ABS10, DB101-DB107S, DB201-DB207S, KBP206-KBP210, KBP307 ......
Diodo de rectificador ultrarrápido de la recuperación UF203 UF204 UF206 UF207, UF4001-UF4004-UF4007, UF5400-UF5401-UF5404-UF5408, SF21-24-26-SF28 ......

 

Nuestro control de calidad estricto:

 

1. Nuestro regulador de la calidad tiene trabajo en nuestra fábrica por más de 10 años, muy expericed.

 

2. Probaremos el cada producto, cada accesorio antes de enviar, para asegurarse de su de alta calidad.

 

3. Embalaremos el cargo bien para asegurarnos de las mercancías en la buena situación durante entrega.

 

  • ¡El pedido del OEM y del ODM es agradable! Proporcionamos productos modificados para requisitos particulares y el empaquetado según su diseño de las ilustraciones para cumplir sus requisitos especiales.

 

diodo de barrera de 3A Schottky, diodo de Schottky del carburo de silicio 3B para la rectificación de la energía baja 2

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