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Diodo de barrera de Schottky del empalme del silicio del metal para el dispositivo montado superficie

Informacion basica
Lugar de origen: Jiangxi, China
Nombre de la marca: DEC
Certificación: RoHS
Número de modelo: MBRF30200DT-
Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Tipo: Diodo de barrera Schottky Voltaje reverso máximo repetidor: 100V
Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo: 30A
Sobretensión delantera máxima: 400A Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme: -65~150 ℃
La temperatura de almacenamiento sonó: -65~175 ℃ Aplicación: dispositivo montado superficie
Alta luz:

schottky barrier rectifier

,

fast schottky diode


Descripción de producto

Diodo de barrera de Schottky del empalme del silicio del metal para el dispositivo montado superficie

 

Características del diodo de barrera de Schottky:

 

Para la superficie usos montados

Empalme del silicio del metal, conducción del portador de mayoría

Pérdida de la energía baja, eficacia alta

Alivio de tensión incorporado, ideal para la colocación automatizada

Alta capacidad delantera de la sobretensión

El soldar de alta temperatura garantizado: segundos 250℃/10 en los terminales

Alta frecuencia que cambia

Caída de voltaje delantera baja

Pérdida de la eficacia alta y de la energía baja

En grandes cantidades de la capacidad actual y buena de la sobretensión

 

Usos del diodo de barrera de Schottky

 

Rectificador de alta frecuencia de las fuentes de alimentación del modo de la transferencia

Diodos despreocupados

Uso de la protección de la polaridad

Convertidores de DC-DC

 

Ventaja del diodo de barrera de Schottky

 

El SBD tiene las ventajas de la alta frecuencia que cambia y del voltaje delantero bajo, pero su voltaje de avería reverso es relativamente bajo, sobre todo no más arriba que 60V, y el máximo está solamente sobre 100V, que limita su gama del uso. Por ejemplo, en los circuitos de (PFC) de la corrección de la fuente de alimentación de la transferencia (SMPS) y de factor de poder, el diodo despreocupado del dispositivo de la transferencia del poder, las aplicaciones secundarias del transformador un diodo de rectificador de alta frecuencia de 100V o más, y del circuito del tambor de frenaje de RCD utiliza un diodo de alta velocidad de 600V a 1.2kV. El alza de PFC utiliza un diodo 600V, un etc., y solamente aplicaciones un diodo epitaxial (FRED) de la recuperación rápida y un diodo ultrarrápido (UFRD) de la recuperación. La época de recuperación reversa Trr de UFRD está también sobre 20 ns, que no pueden cubrir las necesidades de SMPS de 1 megaciclo a 3 megaciclos en campos tales como estaciones espaciales. Incluso con un SMPS con un interruptor duro de 100 kilociclos, debido a la pérdida grande de la conducción y a la pérdida de la transferencia del UFRD, la temperatura de caso es alta, y se requiere un disipador de calor grande, para aumentar el volumen y el peso del SMPS, que no es compatible con la miniaturización y la reducción. La tendencia de desarrollo. Por lo tanto, el desarrollo del SBD de alta presión sobre 100V ha sido siempre un tema de investigación y una zona activa de la preocupación. Estos últimos años, el SBD ha hecho brechas. SBDs de alto voltaje de 150V y 200V se han lanzado. SBDs con más que 1kV hecho de nuevos materiales también se ha desarrollado con éxito, así inyectando nueva vitalidad y vitalidad en sus usos.

 

Grados máximos absolutos (Tc=25°C)

 

 

Tipo: Diodo de barrera de Schottky Voltaje reverso máximo repetidor: 100V
Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo: 30A
Sobretensión delantera máxima: 400A Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme: -65~150 ℃
La temperatura de almacenamiento sonó: -65~175 ℃ Uso: Dispositivo montado superficie

 

Diodo de barrera de Schottky del empalme del silicio del metal para el dispositivo montado superficie 0

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