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Caída de voltaje delantera reversa baja del diodo de la corriente 100v Schottky/del diodo de Schottky

Informacion basica
Lugar de origen: Jiangxi, China
Nombre de la marca: DEC
Certificación: RoHS
Número de modelo: MBRF30100DT
Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Tipo: diodo de 100v Schottky Tipo de paquete: Montaje en superficie
Voltaje reverso máximo repetidor: 100V Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V
Voltaje de bloqueo máximo de DC: 100V Sobretensión delantera máxima: 28A
Índice del voltaje de cambio: 10000 V/μs Resistencia termal típica, empalme al caso: 1,5 ℃/W
Alta luz:

schottky barrier rectifier

,

power schottky diode


Descripción de producto

Caída de voltaje delantera reversa baja del diodo de la corriente 100v Schottky/del diodo de Schottky

 

ventaja del diodo de 100v Schottky

 

el diodo de 100v Schottky tiene las ventajas de la alta frecuencia que cambia y del voltaje delantero bajo, pero su voltaje de avería reverso es relativamente bajo, sobre todo no más arriba que 60V, y el máximo está solamente sobre 100V, que limita su gama del uso. Por ejemplo, en los circuitos de (PFC) de la corrección de la fuente de alimentación de la transferencia (SMPS) y de factor de poder, el diodo despreocupado del dispositivo de la transferencia del poder, las aplicaciones secundarias del transformador un diodo de rectificador de alta frecuencia de 100V o más, y del circuito del tambor de frenaje de RCD utiliza un diodo de alta velocidad de 600V a 1.2kV. El alza de PFC utiliza un diodo 600V, un etc., y solamente aplicaciones un diodo epitaxial (FRED) de la recuperación rápida y un diodo ultrarrápido (UFRD) de la recuperación. La época de recuperación reversa Trr de UFRD está también sobre 20 ns, que no pueden cubrir las necesidades de SMPS de 1 megaciclo a 3 megaciclos en campos tales como estaciones espaciales. Incluso con un SMPS con un interruptor duro de 100 kilociclos, debido a la pérdida grande de la conducción y a la pérdida de la transferencia del UFRD, la temperatura de caso es alta, y se requiere un disipador de calor grande, para aumentar el volumen y el peso del SMPS, que no es compatible con la miniaturización y la reducción. La tendencia de desarrollo. Por lo tanto, el desarrollo del SBD de alta presión sobre 100V ha sido siempre un tema de investigación y una zona activa de la preocupación. Estos últimos años, el SBD ha hecho brechas. SBDs de alto voltaje de 150V y 200V se han lanzado. SBDs con más que 1kV hecho de nuevos materiales también se ha desarrollado con éxito, así inyectando nueva vitalidad y vitalidad en sus usos.

 

características del diodo de 100v Schottky

 

Alta frecuencia que cambia

Caída de voltaje delantera baja

Pérdida de la eficacia alta y de la energía baja

En grandes cantidades de la capacidad actual y buena de la sobretensión

 

usos del diodo de 100v Schottky

 

Los diodos de barrera de Schottky se utilizan para las tareas de la señal-encaminamiento, metalúrgicamente construcción, protección del carril-a-carril y usos consolidados del RF, tales como mezcladores y desmoduladores equilibrados. Los dispositivos sobre 100 mA incorporan el campo del uso del convertidor con tareas de la rectificación, o la función discreta del anillo o.

 

 

Tipo: diodo de 100v Schottky Tipo del paquete: Soporte superficial
Voltaje reverso máximo repetidor: 100V Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V
Voltaje de bloqueo máximo de DC: 100V Sobretensión delantera máxima: 28A
Índice del voltaje de cambio: 10000 V/μs Resistencia termal típica, empalme al caso: 1

Caída de voltaje delantera reversa baja del diodo de la corriente 100v Schottky/del diodo de Schottky 0

Grados máximos absolutos (Tc=25°C)

 

Símbolo Parámetros Grados Unidad
VRRM

Voltaje reverso máximo repetidor

100 V
VRWM

Voltaje reverso máximo de trabajo

100 V
VR

Voltaje de bloqueo máximo de DC

100 V
IF(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)

Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo

28 A
IFSM

Sobretensión delantera máxima

280 A
Tj

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

-65~150
Stgde T

Gama de temperaturas de almacenamiento

-65~175

 

Características eléctricas

Símbolo Parámetros Minuto Típico Máximo Unidades Condiciones
IR

Corriente reversa máxima de la salida (nota 1)

-- --

 

50

100

UA

VR DEL =VRRM

TC = °C 25

TC = °C 125

 

VF

 

Voltaje delantero instantáneo máximo (nota 2)

-- 0,56 0,58

 

V

 

IF = 28 A, TC = °C 25
Rdelth(j-c)

Resistencia termal típica, empalme al caso

-- -- 1,5 ℃/W  
dV/dt

Índice del voltaje de cambio

-- -- 10000 V/μs


 

 

Nota 1: anchura de pulso 2.0uS, f=1.0KHz

Nota 2: Prueba del pulso: anchura de pulso 300us, ciclo de trabajo del 1%

 

Grados y curvas características

 

Caída de voltaje delantera reversa baja del diodo de la corriente 100v Schottky/del diodo de Schottky 1

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