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Diodo de señal epitelial de Schottky de la construcción con el soporte superficial 10000 V/μS

Informacion basica
Lugar de origen: Jiangxi, China
Nombre de la marca: DEC
Certificación: RoHS
Número de modelo: MBRF20100DT
Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Tipo: Diodo de señal de Schottky Tipo de paquete: Montaje en superficie
Voltaje reverso máximo repetidor: 100V Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V
Voltaje de bloqueo máximo de DC: 100V Sobretensión delantera máxima: 150A
Índice del voltaje de cambio: 10000 V/μs Resistencia termal típica, empalme al caso: 3,5 ℃/W
Alta luz:

surface mount schottky diode

,

small signal schottky diode


Descripción de producto

Diodo de señal epitelial de Schottky de la construcción con el soporte superficial 10000 V/μS

 

Características del diodo de señal de Schottky

 

Alta frecuencia que cambia

Alta frecuencia que cambia

Pérdida de la eficacia alta y de la energía baja

En grandes cantidades de la capacidad actual y buena de la sobretensión

 

Usos del diodo de señal de Schottky

 

  • Rectificador de alta frecuencia de las fuentes de alimentación del modo de la transferencia
  • Diodos despreocupados
  • Uso de la protección de la polaridad
  • Convertidores de DC-DC

Paquete del diodo de señal de Schottky

 

El diodo de señal de Schottky está disponible en los paquetes plomados y superficiales de (sMD) del soporte. Los diodos de Schottky en paquetes plomados son de uso general como de alta frecuencia, diodos de rectificador de gran intensidad, diodos despreocupados o diodos de la protección. Está disponible en paquetes de tubo único y del par-tubo (dual-diodo). Schottky tiene tres tipos de pinouts para el tubo, que tiene un cátodo común (el cátodo de los dos tubos está conectado), un ánodo común (el ánodo de los dos tubos está conectado), y una serie (el ánodo de un diodo está conectado con el cátodo del otro diodo).

Los diodos de Schottky con el soporte superficial están disponibles en de tubo único, doble-tubo y versiones del triple-tubo, con los pinouts A~19.

 

 

Tipo: Diodo de señal de Schottky Tipo del paquete: Soporte superficial
Voltaje reverso máximo repetidor: 100V Voltaje reverso máximo de trabajo: 100V
Voltaje de bloqueo máximo de DC: 100V Sobretensión delantera máxima: 150A
Índice del voltaje de cambio: 10000 V/μs Resistencia termal típica, empalme al caso: 3

Diodo de señal epitelial de Schottky de la construcción con el soporte superficial 10000 V/μS 0

Grados máximos absolutos (Tc=25°C)

 

Símbolo Parámetros Grados Unidad
VRRM

Voltaje reverso máximo repetidor

100 V
VRWM

Voltaje reverso máximo de trabajo

100 V
VR

Voltaje de bloqueo máximo de DC

100 V
IF(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)

Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo

20 A
IFSM

Sobretensión delantera máxima

150 A
Tj

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

-65~150
Stgde T

Gama de temperaturas de almacenamiento

-65~175

 

Características eléctricas

 

 

Símbolo Parámetros Minuto Típico Máximo Unidades Condiciones
IR

Corriente reversa máxima de la salida (nota 1)

-- --

 

50

100

UA

VR DEL =VRRM

TC = °C 25

TC = °C 125

 

VF

 

Voltaje delantero instantáneo máximo (nota 2)

--

0,55

0,58

0,60

0,70

 

V

 

IF = 10 A, TC = °C 25

IF = 20 A, TC = °C 25

Rdelth(j-c)

Resistencia termal típica, empalme al caso

-- -- 3,5 ℃/W  
dV/dt

Índice del voltaje de cambio

-- -- 10000 V/μs  

 

Nota 1: anchura de pulso 2.0uS, f=1.0KHz

Nota 2: Prueba del pulso: anchura de pulso 300us, ciclo de trabajo del 1%

 

Grados y curvas características

 

Diodo de señal epitelial de Schottky de la construcción con el soporte superficial 10000 V/μS 1

 Cuadro 1. adelante cuadro actual 2. corriente de las características de la salida de Reverrse

 

Diodo de señal epitelial de Schottky de la construcción con el soporte superficial 10000 V/μS 2

Cuadro 3. cuadro 4. el reducir la capacidad normal de capacitancia de empalme del poder

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