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diodo de transferencia de alta velocidad de alto voltaje del diodo de transferencia de 100V 200mA SOT-23/BAS19 CJ

Informacion basica
Lugar de origen: Guangdong, China
Nombre de la marca: CANYI
Certificación: RoHS
Número de modelo: BAS19
Cantidad de orden mínima: Negotiable1000PCS
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 -2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Tipo: Diodo de transferencia Tipo de paquete: SOT23
Corriente delantera: 200mA Voltaje reverso: 100V
Corriente reversa: 100nA Tiempo de recuperación reversa: 50ns
Alta luz:

high speed switching diode

,

small signal switching diode


Descripción de producto

diodo de transferencia de alta velocidad de alto voltaje del diodo de transferencia de 100V 200mA SOT-23 BAS19 CJ en existencia


Descripción general del diodo de alta velocidad:

  • El diodo de transferencia de alto voltaje encapsulado en un pequeño SOT23 Superficie-montó el paquete del plástico de (SMD) del dispositivo.


Características del diodo de transferencia de SMD:

  1. Alta velocidad de transferencia: ≤ 50 ns del trr
  2. Corriente baja de la salida
  3. ≤ 100 V del voltaje reverso VR
  4. Capacitancia baja: ≤ cd 5 PF
  5. Pequeño paquete del plástico de SMD

Usos de alta velocidad del diodo de transferencia:

  1. Transferencia de alta velocidad en el alto voltaje
  2. Transferencia de fines generales de alto voltaje
  3. Fijación con abrazadera del voltaje
  4. Protección reversa de la polaridad

 

 

Pin

 

Símbolo

 

Descripción

 

1

A

 

ánodo

 

2

N.C.

 

no conectado

 

3 K

cátodo

 

diodo de transferencia de alta velocidad de alto voltaje del diodo de transferencia de 100V 200mA SOT-23/BAS19 CJ 0

Grado máximo absoluto

Símbolo

 

Parámetro

 

Condiciones

M

 

Máximo

 

Unidad

 

VRRM

 

revés máximo repetidor

voltaje

 

  120 V

VR

 

voltaje reverso

 

  100 V

SI

 

corriente delantera

 

continuo

 

200 mA

IFSM

 

pico sin repetición

corriente delantera

 

tp = µs 1; °C 25 de Tj (init) =; onda cuadrada

 

9 A

tp = 100 µs; °C 25 de Tj (init) =; onda cuadrada

 

3 A

tp = ms 10; °C 25 de Tj (init) =; onda cuadrada

 

1,7 A

IFRM

 

delantero máximo repetidor

actual

 

  625 mA

Ptot

 

disipación de poder total

 

°C del ≤ 25 de Tamb

 

250 mW

Tj

 

temperatura de empalme

 

  150

 

Tamb

 

temperatura ambiente

 

 

-55 -150

 

Tstg

 

temperatura de almacenamiento

 

 

-65 -150

 

 

 

Características

Símbolo

 

Parámetro

 

Condiciones

M

 

Máximo

 

Unidad

 

VF

 

voltaje delantero

 

SI = 100 mA; Tj = °C 25

 

1 V
   

SI = 200 mA; Tj = °C 25

 

1,25 V

IR

 

corriente reversa

 

VR = 100 V; Tj = °C 25

 

100 nA

VR = 100 V; Tj = °C 150

 

100

µA

 

Cd

 

capacitancia del diodo

 

VR = 0 V; f = 1 megaciclo; Tamb = °C 25

 

5

PF

 

trr

 

tiempo de recuperación reversa

 

SI = 30 mA; IR = 30 mA; RL = 100 Ω;

IR (meas) = 3 mA; Tamb = °C 25

 

50 ns

 

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