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Diodo de señal bajo de VF Schottky para la construcción metalúrgicamente enlazada

Informacion basica
Lugar de origen: Jiangxi, China
Nombre de la marca: DEC
Certificación: RoHS
Número de modelo: MBRF2045CT
Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: Transferencia telegráfica por adelantado (TT anticipado, T/T)
Capacidad de la fuente: 15,000,000pcs por día
Información detallada
Tipo: Diodo de señal de Schottky Función: VF bajo
Voltaje reverso máximo de trabajo: 45V Voltaje de bloqueo máximo de DC: 45V
Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo: 20A Sobretensión delantera máxima: 125A
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme: ℃ 150 Gama de temperaturas de almacenamiento: -40~150℃
Corriente reversa máxima de la salida (nota 1): 50μA Voltaje delantero instantáneo máximo (nota 2): 0.6V
Resistencia termal típica, empalme al caso: 1.9℃/W Índice del voltaje de cambio: 10000V/μs
Alta luz:

surface mount schottky diode

,

small signal schottky diode


Descripción de producto

Diodo de señal bajo de VF Schottky para la construcción metalúrgicamente enlazada

 

Características del diodo de señal de Schottky

 

Clasificación 94V-0 de la inflamabilidad

Idea para la placa de circuito impresa

Alta capacidad delantera de la sobretensión

El soldar de alta temperatura garantizado

Pérdidas bajas de la corriente de la salida
Pérdidas insignificantes de la transferencia
Bajo remita y los tiempos de recuperación reversa
Ayuna extremadamente la transferencia

 

Usos del diodo de señal de Schottky

 

Diodos despreocupados

Uso de la protección de la polaridad

Convertidores de DC-DC

 

Ventaja del diodo de señal de Schottky

 

El SBD tiene las ventajas de la alta frecuencia que cambia y del voltaje delantero bajo, pero su voltaje de avería reverso es relativamente bajo, sobre todo no más arriba que 60V, y el máximo está solamente sobre 100V, que limita su gama del uso. Por ejemplo, en los circuitos de (PFC) de la corrección de la fuente de alimentación de la transferencia (SMPS) y de factor de poder, el diodo despreocupado del dispositivo de la transferencia del poder, las aplicaciones secundarias del transformador un diodo de rectificador de alta frecuencia de 100V o más, y del circuito del tambor de frenaje de RCD utiliza un diodo de alta velocidad de 600V a 1.2kV. El alza de PFC utiliza un diodo 600V, un etc., y solamente aplicaciones un diodo epitaxial (FRED) de la recuperación rápida y un diodo ultrarrápido (UFRD) de la recuperación. La época de recuperación reversa Trr de UFRD está también sobre 20 ns, que no pueden cubrir las necesidades de SMPS de 1 megaciclo a 3 megaciclos en campos tales como estaciones espaciales. Incluso con un SMPS con un interruptor duro de 100 kilociclos, debido a la pérdida grande de la conducción y a la pérdida de la transferencia del UFRD, la temperatura de caso es alta, y se requiere un disipador de calor grande, para aumentar el volumen y el peso del SMPS, que no es compatible con la miniaturización y la reducción. La tendencia de desarrollo. Por lo tanto, el desarrollo del SBD de alta presión sobre 100V ha sido siempre un tema de investigación y una zona activa de la preocupación. Estos últimos años, el SBD ha hecho brechas. SBDs de alto voltaje de 150V y 200V se han lanzado. SBDs con más que 1kV hecho de nuevos materiales también se ha desarrollado con éxito, así inyectando nueva vitalidad y vitalidad en sus usos.

 

Descripción detallada del diodo de señal de Schottky
Tipo: Diodo de señal de Schottky Voltaje reverso máximo repetidor: 45V
Voltaje reverso máximo de trabajo: 45V Voltaje de bloqueo máximo de DC: 45V
Dispositivo total actual adelante rectificado medio máximo: 20A Sobretensión delantera máxima: 125A
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme: ℃ 150 Gama de temperaturas de almacenamiento: -40~150℃
Corriente reversa máxima de la salida (nota 1): 50μA Voltaje delantero instantáneo máximo (nota 2): 0.6V
Resistencia termal típica, empalme al caso: 1.9℃/W Índice del voltaje de cambio: 10000V/μs

 

Diodo de señal bajo de VF Schottky para la construcción metalúrgicamente enlazada 0

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